跳至內容

File:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg

頁面內容不支援其他語言。
這個檔案來自維基共享資源
維基百科，自由的百科全書

原始檔案 ‎（SVG 檔案，表面大小：401 × 235 像素，檔案大小：7 KB）

摘要

描述
English: Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.
Deutsch: Vergleich eines konventionellen Gate-Schichtstapel mit Siliziumdioxid als Dielektrikum mit dem eines in High-k+Metal-Gate-Technik (vereinfachte Darstellung) hergestellten Gate-Schichtstapels. Das Schema wurde in Anlehung einer Präsentation von G. E. Moore, Intel Inc., erstellt
日期 (UTC)
來源
作者


這是一張修飾過的圖片，即本圖片是用軟體修改過後的版本，修改的方式或內容有：translation to german, thickness ratio fixed, colored。原版圖片來源：High-k.svg。修改者：Cepheiden。

授權條款

我，本作品的著作權持有者，決定用以下授權條款發佈本作品：
w:zh:創用CC
姓名標示 相同方式分享 		此檔案採用創用CC 姓名標示-相同方式分享 3.0 未在地化版本授權條款。 受免責聲明的約束。
您可以自由：
  • 分享 – 複製、發佈和傳播本作品
  • 重新修改 – 創作演繹作品
惟需遵照下列條件：
  • 姓名標示 – 您必須指名出正確的製作者，和提供授權條款的連結，以及表示是否有對內容上做出變更。您可以用任何合理的方式來行動，但不得以任何方式表明授權條款是對您許可或是由您所使用。
  • 相同方式分享 – 如果您利用本素材進行再混合、轉換或創作，您必須基於如同原先的相同或兼容的條款，來分布您的貢獻成品。
已新增授權條款標題至此檔案，作為GFDL授權更新的一部份。
GNU head 已授權您依據自由軟體基金會發行的無固定段落、封面文字和封底文字GNU自由文件授權條款1.2版或任意後續版本，對本檔進行複製、傳播和／或修改。該協議的副本列在GNU自由文件授權條款中。
您可以選擇您需要的授權條款。

原始上傳日誌

This image is a derivative work of the following images:

  • File:High-k.svg licensed with Cc-by-sa-3.0-migrated-with-disclaimers, GFDL-en, GFDL-user-en-note
    • 2008-01-14T18:14:30Z Stannered 401x235 (8539 Bytes) {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Sourc

Uploaded with derivativeFX

說明

添加單行說明來描述出檔案所代表的內容

在此檔案描寫的項目

描繪內容

多媒體型式

image/svg+xml

校驗和

33126c73740bf2de2378f8d16da5c8de343332dc

斷定方法：​SHA-1 中文 (已轉換拼寫)

資料大小

7,434 位元組

高度

235 像素

寬度

401 像素

檔案歷史

點選日期/時間以檢視該時間的檔案版本。

日期/時間縮⁠圖尺寸使用者備⁠註
目前2010年2月20日 (六) 08:52於 2010年2月20日 (六) 08:52 版本的縮圖401 × 235（7 KB）Cepheidensvg fix
2010年2月20日 (六) 08:51於 2010年2月20日 (六) 08:51 版本的縮圖401 × 235（7 KB）Cepheidensmall fixes
2010年2月20日 (六) 08:45於 2010年2月20日 (六) 08:45 版本的縮圖401 × 235（7 KB）Cepheiden{{Information |Description={{en|Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.}} {{de|Vergleich eines konventio

下列頁面有用到此檔案：

全域檔案使用狀況

以下其他 wiki 使用了這個檔案：

取自「https://wiki.tuftech.org/wiki/File:Common_SiO2_vs_high-k_gate_stack_(DE).svg」