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横向扩散金属氧化物半导体

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横向扩散金属氧化物半导体(英语:Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor缩写LDMOS)经常被用于微波/射频电路,制造于高浓度掺杂基底的外延层上。

LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器,原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件(如GaAs场效电晶体)相比,LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台湾积体电路制造公司(TSMC)、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、世界先进积体电路英语Vanguard International Semiconductor Corporation(VIS)、英飞凌、RFMD、飞思卡尔(Freescale)等。