跳至內容

橫向擴散金屬氧化物半導體

本頁使用了標題或全文手工轉換
維基百科,自由的百科全書

橫向擴散金屬氧化物半導體(英語:Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor縮寫LDMOS)經常被用於微波/射頻電路,製造於高濃度摻雜基底的外延層上。

LDMOS常被用於製作基站的射頻功率放大器,原因是它可以滿足高輸出功率、柵源擊穿電壓大於60伏的要求。與其他器件(如GaAs場效電晶體)相比,LDMOS功放極大值的頻率相對較小。LDMOS技術的生產製造商包括台灣積體電路製造公司(TSMC)、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、世界先進積體電路英語Vanguard International Semiconductor Corporation(VIS)、英飛凌、RFMD、飛思卡爾(Freescale)等。